企業(yè)博客
更多>>- 12.90322 2016 20MHZ XO CMOS 3.3V KXO-V94T GEYER晶振 2025-01-04
12.90322201620MHZOSCXOCMOS3.3V50PPKXO-V94TGEYER丹麥格耶晶振幾十年來,GEYERElectronic一直是頻率產(chǎn)品、石英晶體、振蕩器和陶瓷諧振器的領先制造商之一.我們成立于1964年,通過德國總部以及歐洲、亞洲和美國的其他地...
- X1C032000B81H-DEHPV HSX111SA 1612 32M 8PF 10PP加高無源晶振 2025-01-03
X1C032000B81H-DEHPVHSX111SA161232M8PF10PP加高無源晶振了解更多關于加高電子的5G基礎設施應用晶體諧振器（XTALs）和晶體振盪器（XOs）是5G基礎設施不可或缺的組成部分,有助于各種組件和系統(tǒng)的精確計時和同步.以下是...
- FCO3C016368A3CCU00富士Fuji有源晶振3225 16.368M -40°C-105°C 2024-12-31
FCO3C016368A3CCU00富士Fuji有源晶振322516.368MHZCMOSFCO-3C1.8V~3.3V20ppm-40C~105C車身娛樂模塊隨著汽車性能、智慧化及安全系數(shù)的不斷提高,汽車CPU(中央處理器)需要處理的數(shù)據(jù)越來越多.CPU的任何復雜指令的實現(xiàn)離不...
- DS2016A/DS2520A/DS3225A低相位抖動/低相位噪聲的差分晶體振蕩器HCSL和LVDS和LV-PECL 2024-12-25
DS2016A/DS2520A/DS3225A低相位抖動/低相位噪聲的差分晶體振蕩器HCSL和LVDS和LV-PECLDSO323SJABC-212.5000MHZ六腳差分3225XOLVDS3.3V50PP-40+85開發(fā)實現(xiàn)世界一流低相位抖動/低相位噪聲的差分輸出晶體振蕩器大信商株式...
- 1XSF050000AR DSO221SXF 2520 XO 50MHz 3.3V 50ppm -40+85℃ KDS有源晶振 2024-12-21
1XSF050000ARDSO221SXF2520XO50MHz3.3V50ppm-40+85℃KDS有源晶振關于總部及廠房建設的通知DAISHINKU株式會社（以下簡稱KDS公司,總裁：飯冢實）宣布,公司正在建設一個總部和工廠位于兵庫縣Kakogawa市的中央實驗室附近建...
- Q 0.032768-JTX310-9-20-T3-HMR-LF 3215 32.768K 9PF 20PP -40+125℃法國Jauch晶振 2024-12-07
Q0.032768-JTX310-9-20-T3-HMR-LF321532.768K9PF20PP-40+125℃法國Jauch晶振石英晶體和振蕩器為您的應用提供準確的頻率JTX310Jauch頻率控制產(chǎn)品按照最高質(zhì)量標準生產(chǎn)和配置.因此,它們在極端條件下和最復雜的應用中也能...
- FCO3C006000A3CBY00 3225 6MHZ XOI CMOS 3.3V 15PP -40+85 富士有源晶振 2024-11-21
FCO3C006000A3CBY0032256MHZXOICMOS3.3V15PP-40+85FCO-3C富士有源晶振LVPECL到LVDS的轉換如下圖所示,在LVPECL驅(qū)動器輸出端向GND放置一個1500電阻,對于開路發(fā)射極提供直流偏置以及到GND的直流電流路徑至關重要.為了將8...
- FCO3C008000A3CCU00 3225 8M XO 3.3V -40+105℃富士有源晶振 2024-11-14
FCO3C008000A3CCU0032258MOSCXOCMOS1.8-3.3V20PP-40+105℃富士有源晶振低壓差分信號Q(LVDS)低壓差分信號(LVDS)輸入需要在IN+和IN-引腳之間連接一個100Q的電阻,共模電壓約為1.2V.如果片內(nèi)不包含100Q的端接電阻,則必須包...
- AK5DBF1-125.0000有源差分晶振怎么區(qū)分LVDS、LVPECL、HCSL、CML輸出模式 2024-10-29
AK5DBF1-125.00005032XOLVDS2.5V25PP-40+85六腳差分晶振有源差分晶振怎么區(qū)分LVDS、LVPECL、HCSL、CML輸出模式差分信號,差分信號的定義關于差分晶振的LVDS、LVPECL、HCSL、CML模式介紹及其相互轉換所謂差分信號,即使用...
- FCO3C008000A3CBY00 FCO-3C 3225 8MHZ XO 1.8-3.3V 15PP -40+85富士有源晶振 2024-10-26
FCO3C008000A3CBY00FCO-3C32258MHZXO1.8-3.3V15PP-40+85富士有源晶振可程式設計振蕩器的相位雜訊和抖動優(yōu)化在現(xiàn)代電子設備中,相位雜訊和抖動是評估振蕩器性能的重要指標.為了實現(xiàn)低相位雜訊和低抖動,可程式設計振蕩器...
- FCO3C012000A3CCU00 3225 12MHZ XO CMOS 1.8-3.3V 20PP -40+105 富士Fuji晶振 2024-10-23
FCO3C012000A3CCU00322512MHZXOCMOS1.8-3.3V20PP-40+105富士Fuji晶振可程式設計振蕩器的特點、優(yōu)勢與局限性及其相位雜訊和抖動的優(yōu)化隨著電子設備的不斷進步,對頻率源的靈活性和性能要求也越來越高.可程式設計振蕩器作...
- FCX2S02400012Y1J FCX-2S 2016 24MHZ 12PF -40+85℃小體積小尺寸富士晶振 2024-10-16
FCX2S02400012Y1JFCX-2S201624MHZ12PF-40+85℃小體積小尺寸富士晶振1.2mmx1.0mm晶振的小體積小尺寸顯著優(yōu)勢尺寸小巧這種微型晶振顯著節(jié)省了電路板空間,特別適用于空間受限的應用場景,如可穿戴設備、超薄智慧手機、平板...
- FCT1M032768C5T5 FCT-1M 1610 32.768KHZ 12.5PF小尺寸Fuji富士晶振 2024-10-01
FCT1M032768C5T5FCT-1M161032.768KHZ12.5PF小尺寸Fuji富士晶振微型化晶振技術：實現(xiàn)1.2mmx1.0mm尺寸的關鍵與優(yōu)勢隨著現(xiàn)代電子設備的不斷小型化和高性能化,晶振（晶體振蕩器）也面臨著向更小尺寸發(fā)展的需求.1.2mmx1.0m...
- FCX3M02500018Y3G Fuji晶振 FCX-3M 3225 25M 18PF -40+85 2024-09-26
FCX3M02500018Y3GFuji晶振FCX-3M322525M18PF-40+85可程式設計振蕩器的特點、優(yōu)勢與局限性及其相位雜訊和抖動的優(yōu)化隨著電子設備的不斷進步,對頻率源的靈活性和性能要求也越來越高.可程式設計振蕩器作為一種能夠通過程...
